InP光电子集成电路 上传者：dev_xp 2021-05-05 07:59:28上传 PDF文件 580.92KB 热度 40次 日本明治大学工学部植草新一郎等运用独创的低温工艺试制成在InP衬底上集成二极管、晶体管和光波导等器件,并证实具有实用价值。InP的电子迁移率、导热率和耐放射线等性能优于GaAs,但由于表面微细加工困难,致使这些优异性能得不到充分利用。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
