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分子束外延在Si(111)上合成InGaN / GaN多量子阱纳米线及其性能

上传者: 2021-05-02 15:16:01上传 PDF文件 1.49MB 热度 16次
分子束外延在Si(111)上合成InGaN / GaN多量子阱纳米线及其性能
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