在Si(111)衬底上具有AIN / GaN分布布拉格反射器的垂直导电InGaN / GaN多量子阱LED

在这项研究中,使用线性成分梯度AlGaN层在Si(111)衬底上生长具有五对AIN / GaN分布布拉格反射器(DBR)的无裂纹InGaN / GaN多量子阱(MQW)LED,以补偿拉伸强度。压力。 与非基于DBR的LED相比,基于DBR的LED表现出更高的光效率和更好的晶体质量。 利用通Kong结构实现了垂直导电的基于DBR的LED。 从n-GaN层到Si衬底形成通Kong,并填充有金属,该通Kong连接了n-GaN层和Si衬底。 绝缘AIN,高电阻率的AlGaN层以及在AIN / Si界面处的大带隙都被填充在通Kong中的金属所短路。 与不具有通Kong的基于DBR的LED相比,具有通Kong的基于DBR的LED表现出明显更好的电气和光学性能。