用于0.35 μm接触孔图形相移掩模研究

基于霍普金斯(Hopkins)理论, 通过计算0.35 μm方孔的传统透射掩模、 边缘相移掩模、 部分边缘相移掩模、 辅助相移掩模以及衰减相移掩模在硅片表面空间像的光强分布, 找出了适合于各种相移掩模的最佳参数。 其中衰减相移掩模对提高光刻分辨率和增加焦深最为明显, 尤其在相干因子(σ)较小时更是如此。