AlGaN / GaN HEMT的改进DC模型 上传者：sinat_94021 2021-05-01 02:50:16上传 PDF文件 124.18KB 热度 19次 本文提出了一种改进的GaN高电子迁移率晶体管HEMT的DC IV特性的经验模型。 改进之处在于允许Curtice模型参数随栅极-源极电压而变化。 模型参数提取是针对100微米栅宽的GaN HEMT。 在建模结果和测量结果之间获得了很好的一致性。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 sinat_94021 资源：397 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
