具有降低的单元间距的超低导通电阻高压(> 600 V)SOI MOSFET

提出了一种具有降低的单元间距的低比导通电阻(R(S,on))绝缘体上硅(SOI)沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。 横向MOSFET具有多个沟槽:漂移区中的两个氧化物沟槽和延伸至掩埋氧化物(BOX)的沟槽栅极(SOI MT MOSFET)。 首先,由于氧化物的介电常数比Si低,因此氧化物沟槽增加了沿x方向的平均电场强度。 其次,氧化物沟槽引起多方向耗尽,这改善了电场分布并增强了SOI层中的减小的表面场效应(RESURF)。 它们都导致高击穿电压(BV)。 第三,氧化物沟槽使漂移区在垂直方向上折叠,从而导致单元节距缩短和R(S,on)减小。 第四,由于电子累积层,延伸至BOX的沟