808 nm大功率半导体激光器寿命实验

为获得808 nm单巴条(bar)大功率半导体激光器寿命指标,研制了10工位大功率半导体激光器寿命实验在线监测系统,完成了3组寿命评价实验,这3组实验条件分别为温度25 °C、电流100 A,温度50 °C、电流100 A,温度50 °C、电流115 A。采用线性回归分析、最小二乘法原理及拟合优度检验等统计学相关知识,获得了单bar大功率半导体激光器的功率退化模型,基此确定大功率半导体激光器的外推寿命为2.86×109次脉冲次数。同传统加速寿命评价实验方法相比,基于参数退化模型的寿命外推方法具有寿命评价时间短、准确性高的优点。