大功率640 nm红光半导体激光器的设计及制备

设计并制备了一款短波长红光640 nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰,位于627 nm及616 nm处,分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散,量子阱原子发生混杂,波长蓝移了43 nm。不带非吸收窗口的器件在1.9 A发生腔面灾变性光学损伤(COD),功率为1.4 W。而带窗口结构的器件没有产生COD,功率输出受限于热饱和,最大功率为2.3 W。室温连续电流测试,1