808 nm波长高功率阵列半导体激光器

报道了采用MBE外延生长方法制备的叠层阵列CW工作型高功率半导体激光器.激光器的生长结构采用经过优化的单量子阱渐变折射率分别限制波导结构,激光器芯片结构为标准的CM条,注入因子设计为60%.叠层装配采用了具有高效散热能力的水冷结构.经初步测试,叠层器件的阈值电流为12A,直流30A驱动电流下的输出功率达40W,斜率效率为2.2W/A.器件中心激射波长为810nm,光谱宽度(FWHM)为6nm.