1. 首页
  2. 数据库
  3. 其它
  4. 场注入对薄层SOI场P沟道LDMOS截止和导通状态特性的影响

场注入对薄层SOI场P沟道LDMOS截止和导通状态特性的影响

上传者: 2021-03-08 03:52:30上传 PDF文件 539.88KB 热度 8次
场注入对薄层SOI场P沟道LDMOS截止和导通状态特性的影响
用户评论