高纯半绝缘4H SiC单晶的制备及研究

Name: 高纯半绝缘4H SiC单晶的制备及研究
Rating: 4.5 (41 reviews)
Author: sujiachaosu

上传者：sujiachaosu 2021-04-21 19:48:13上传 PDF文件 605.54KB 热度 41次

高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

高纯半绝缘4H SiC单晶的制备及研究

高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

大小：606KB | 2021-04-21 19:48:13
LPCVD法制备的高纯半绝缘4H SiC晶体ESR谱特性

LPCVD法制备的高纯半绝缘4H-SiC晶体ESR谱特性

大小：149KB | 2021-02-26 10:25:35
高质量半绝缘150mm4H SiC单晶生长研究

高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

大小：618KB | 2021-02-09 11:12:09
4H SiC功率UMOSFET的制备与表征

4H-SiC功率UMOSFET的制备与表征

大小：386KB | 2021-04-06 08:09:54
4H SiC基底Al

在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜, 通过扫描电镜(SEM)和实测...

大小：1.15MB | 2021-04-30 10:36:30
高品质6英寸N型4H SiC单晶生长研究

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以...

大小：5.74MB | 2021-01-31 01:34:39
激光分解4H SiC制备石墨烯层的晶面取向影响研究

采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开...

大小：15.74MB | 2021-01-31 07:43:58
升华法制备SiC单晶及表征

升华法制备SiC单晶及表征，汪洋，万隆，石墨电极与SiC原料直接接触，通电后利用接触电阻及SiC颗粒...

大小：325KB | 2020-07-17 02:19:16
4H SiC MESFET特性对比及仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双...

大小：0B | 2020-10-28 07:07:49
氢浓度对升华法生长高纯度4H SiC单晶生长的影响

氢浓度对升华法生长高纯度4H-SiC单晶生长的影响

大小：244KB | 2021-04-04 16:59:22
激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H SiC

通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的...

大小：7.99MB | 2021-02-01 01:35:01
铝注入4H SiC的表面形貌和离子活化研究

将多能铝(Al +)注入4H-SiC(0001)外延层并通过石墨封装进行活化退火本文对层进行了研究。...

大小：725KB | 2021-04-26 08:56:51
4H SiC功率MOSFET的低温和高温性能

4H-SiC功率MOSFET的低温和高温性能

大小：170KB | 2021-04-08 09:35:45
具有场板端接的4H SiC沟槽栅极MOSFET

具有场板端接的4H-SiC沟槽栅极MOSFET

大小：1.24MB | 2021-04-08 12:32:44
4H SiC MESFET大信号非线性特性分析

采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺...

大小：246KB | 2021-02-23 13:56:14
Al2O3SiO2叠层电介质的4H SiC金属绝缘半导体结构的研究

原子层沉积(ALD)Al2O3 /干氧化超薄SiO2膜作为高k栅极电介质生长在硅上本文研究了8°离轴...

大小：1.46MB | 2021-04-26 04:48:11