4H SiC功率MOSFET的低温和高温性能

Name: 4H SiC功率MOSFET的低温和高温性能
Rating: 4.5 (49 reviews)
Author: liuyaoao

上传者：liuyaoao 2021-04-08 09:35:45上传 PDF文件 170.11KB 热度 49次

4H-SiC功率MOSFET的低温和高温性能

下载地址

用户评论

更多下载

下载地址

立即下载

用户评论

4H SiC功率MOSFET的低温和高温性能

4H-SiC功率MOSFET的低温和高温性能

大小：170KB | 2021-04-08 09:35:45
4H SiC功率UMOSFET的制备与表征

4H-SiC功率UMOSFET的制备与表征

大小：386KB | 2021-04-06 08:09:54
具有场板端接的4H SiC沟槽栅极MOSFET

具有场板端接的4H-SiC沟槽栅极MOSFET

大小：1.24MB | 2021-04-08 12:32:44
4H SiC基底Al

在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜, 通过扫描电镜(SEM)和实测...

大小：1.15MB | 2021-04-30 10:36:30
新型4H SiC横向JFET结构的高温物理建模和验证

本文研究了一种新颖的4H-SiC LJFET结构的独特性能,该结构具有常开侧向沟道与常闭垂直沟道的串...

大小：2.46MB | 2021-04-06 08:09:52
4H SiC无线无源高温压力传感器设计

高温压力传感器研制的主要目的是解决高温恶劣环境下的压力测量问题,SiC是制造高温压力传感器的理想材料...

大小：574KB | 2020-10-27 22:48:32
4H SiC MESFET特性对比及仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双...

大小：0B | 2020-10-28 07:07:49
4H SiC MESFET大信号非线性特性分析

采用Volterra级数法对4H2SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺...

大小：246KB | 2021-02-23 13:56:14
高纯半绝缘4H SiC单晶的制备及研究

高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

大小：606KB | 2021-04-21 19:48:13
铝注入4H SiC的表面形貌和离子活化研究

将多能铝(Al +)注入4H-SiC(0001)外延层并通过石墨封装进行活化退火本文对层进行了研究。...

大小：725KB | 2021-04-26 08:56:51
AlN Si111复合衬底上4H SiC薄膜的异质外延

利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外...

大小：1.09MB | 2021-04-04 15:57:55
4H SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性

4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性

大小：1.94MB | 2021-04-06 08:09:53
激光分解4H SiC制备石墨烯层的晶面取向影响研究

采用KrF准分子激光辐照4H-SiC制备石墨烯层,从4H-SiC晶面取向对石墨烯生长质量影响的角度开...

大小：15.74MB | 2021-01-31 07:43:58
高品质6英寸N型4H SiC单晶生长研究

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以...

大小：5.74MB | 2021-01-31 01:34:39
激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H SiC

通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的...

大小：7.99MB | 2021-02-01 01:35:01
Al4SiC4陶瓷的高温强度

Al4SiC4陶瓷的高温强度，黄小萧，温广武，本文在空气中室温和1000~1300℃的测试温度范围内...

大小：0B | 2020-04-24 09:45:16