升华法制备SiC单晶及表征 上传者：落月追风 2020-07-17 02:19:16上传 PDF文件 324.58KB 热度 41次 升华法制备SiC单晶及表征，汪洋，万隆，石墨电极与SiC原料直接接触，通电后利用接触电阻及SiC颗粒间产生的电弧加热SiC粉源，采用升华法原理成功制备了SiC单晶材料。实验表明 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
