980 nm底部发射VCSEL中DBR的设计和优化

根据DBR理论,以P型DBR为例,通过研究不同梯度区域宽度和掺杂密度的能带结构,分析了DBR的电学特性和光反射特性。 通过比较研究确定渐变区域的宽度和掺杂密度。 980 nm VCSEL的P型DBR设计时选择了Al0.9Ga0.1As和Al0.1Ga0.9As作为DBR的高折射率材料和低折射率材料。 然后制造由30对P型DBR和28对N型DBR组成的980 nm底部VCSEL。 在P型DBR中,渐变区域的宽度为0.02μm,均匀掺杂浓度为2.5x10(18)cm(-3)。 反射率为99.9%。 在N型DBR中,渐变区域的宽度也为0.02μm,均匀掺杂浓度为2×10(18)cm(-3)。 反射率为99.3%。 IV曲线表明该器件的串联电阻约为0.05Ω。 根据DBR理论,以P型DBR为例,通过研究不同梯度区域宽度和掺杂密度的能带结构,分析了DBR的电学特性和光反射特性。 通过比较研究确定渐变区域的宽度和掺杂密度。 设计了980 nm VCSEL的P型DBR,选择Al0.9Ga0.1As和Al0.1Ga0.9As作为DBR的高折射率材料和低折射率材料。 然后制造由30对P型DBR和28对N