具有超低导通电阻的双栅极横向双扩散金属氧化物半导体

提出了一种新型的具有超低比导通电阻(R-on,R-sp)的高压沟槽横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)。 该结构具有双栅极(DG LDMOS):在氧化物沟槽中插入了平面栅极和沟槽栅极。 首先,双栅极可以提供双传导通道并显着降低R-on,R-sp。 其次,漂移区中的氧化物沟槽可调节电场分布并减小单元间距,但仍可保持相当的击穿电压(BV)。 仿真结果表明,与传统LDMOS等效BV相比,DG LDMOS的单元间距可以减小50%。 此外,由于较小的单元间距和双栅极,DG LDMOS的R-on(sp)可以降低67%。