半导体设备研究报告:刻蚀设备国产替代

在半导体制造工艺中,薄膜沉积、光刻、刻蚀三大工艺是半导体制造流程中最 关键的环节,直接决定了芯片的分层结构、表面电路图形等,显著影响芯片的电学 参数和应用性能。 其中,刻蚀是用化学或者物理方法将晶圆表面不需要的材料逐渐去除的过程, 决定了晶圆上的芯片电路能否与光掩模版上的芯片电路保持一致,是图形化工艺中 的重点。主要考虑的参数有刻蚀速率、刻蚀剖面(各向同性/各向异性)、刻蚀偏差、 选择比(对两种不同材料刻蚀速率的比值大小)、均匀性、残留物等。按照工艺划分,刻蚀主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类。 湿法刻蚀:湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻 蚀,由于采用化学方法刻蚀,因此其刻