宽禁带半导体行业报告:SiC与GaN的兴起与未来

随着 Si 材料的瓶颈日益突出,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导 体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在 红外激光器和高亮度的红光二极管等方面。第三代半导体材料的兴起, 则是以氮化镓(GaN)材料 p 型掺杂的突破为起点,以高亮度蓝光发光 二极管(LED)和蓝光激光器(LD)的研制成功为标志,包括 GaN、碳 化硅(SiC)和氧化锌(ZnO)等宽禁带材料。第三代半导体(本文以 SiC 和 GaN 为主)又称宽禁带半导体,禁带宽 度在 2.2eV 以上,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电 子密度、高迁移率等特点,逐步受到重视。SiC 与 GaN 相比较,