沉积电位对在氟掺杂氧化锡衬底上共电沉积的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池的影响

通过在掺杂氟的氧化锡(FTO)涂覆的玻璃基板上共电沉积Cu-Zn-Sn-S前驱体,然后在硫气氛中进行硫化,合成了富含稀土的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜光伏吸收剂。 在本文中,我们研究了沉积电势对CZTS薄膜的性能以及由其制成的太阳能电池的光伏性能的影响。 沉积电位的最初增加会增加Zn的含量,降低Cu的含量,增加晶粒尺寸,并改善薄膜的晶体质量。 这提高了开路电压(Voc)和短路电流密度(Jsc),从而将所得太阳能电池的效率从0.56%提高到4.73%。 但是,沉积电位的进一步增加会导致表面粗糙,这会通过降低Voc并增加串联电阻(Rs)来降低器件性能。 这是通过在各种沉积电势下在FTO涂层的玻璃基板上进行共电沉积制备的CZTS薄膜太阳能电池的首次研究。 它提供了一种新颖且有前途的制造高效率CZTS双面薄膜太阳能电池的方法。