热蒸发沉积Cu_2ZnSnS_4薄膜的光电性能

<正> Sn / Cu / ZnS前驱体在室温下通过蒸发沉积在钠钙玻璃上,然后在550°C的硫气氛中硫化3 h,制得Cu2ZnSnS4(CZTS)多晶薄膜。用X射线衍射,能量色散X射线光谱,紫外可见近红外分光光度法,霍尔效应系统和3D光学显微镜对制备的CZTS薄膜进行了表征。实验结果表明,[Cu]的比例] /([Zn] + [Sn])和[Zn] / [Sn]在CZTS中分别为0.83和1.15,CZTS薄膜在能量范围1.5-下的吸收系数大于4.0 x 104 cm-1。 3.5 eV,直接带隙约为1.47eV。CZTS膜的载流子浓度,电阻率和迁移率分别为6.98 x 1016 cm-3、6