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水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位的影响

上传者: 2020-07-21 03:12:16上传 PDF文件 402.3KB 热度 22次
水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位的影响,李成杰,靳正国,本文给出了一种水基电沉积CuInSe2薄膜过程当中沉积电位变化的研究方法。通过向氯化铜(CuCl2•2H2O),氯化铟,(InCl3•4H2O),和氧化�
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