光电探测器异质结

图1(a)是一个典型的异质结PIN[13],P型和N型区域均为InP,本征层In1 ,Ga,As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配,并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽(1.34 eV),根据式(3-5)可知它的本征吸收截止波长为0.92 gm。因此对于波长大于0.92 gm的入射光InP呈透明状态,如图1(b)所示。通过消除表面p+-InP的吸收增加了入射光在本征区的吸收,有效地提高了响应度。表面吸收的消除还使得在0.92 gm和1.65 gm范围内波长响应曲线变得平坦。这是因为吸收系数随入射光波长减小而增大,相应的吸收长