基于结终端扩展的4H SiC肖特基势垒二极管研制
碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容
下载地址
用户评论
:这篇文件系统地研究了基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管，为相关领域的研究提供了有价值的参考。
:文中对基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管的研制进行了深入剖析，从实验结果和数据分析提供了可靠的推论。