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基于结终端扩展的4H SiC肖特基势垒二极管研制

上传者: 2021-04-16 22:52:03上传 PDF文件 371.97KB 热度 6次
碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容
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