基于结终端扩展的4H SiC肖特基势垒二极管研制 上传者：social93416 2021-04-16 22:52:03上传 PDF文件 371.97KB 热度 10次 碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 码姐姐匿名网友 2025-04-10 21:32:47 :这篇文件系统地研究了基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管，为相关领域的研究提供了有价值的参考。 码姐姐匿名网友 2025-04-11 01:39:13 :文中对基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管的研制进行了深入剖析，从实验结果和数据分析提供了可靠的推论。 发表评论 social93416 资源：1 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
:这篇文件系统地研究了基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管，为相关领域的研究提供了有价值的参考。
:文中对基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管的研制进行了深入剖析，从实验结果和数据分析提供了可靠的推论。