基于结终端扩展的4H SiC肖特基势垒二极管研制 碳化硅半导体材料与器件,主要研究了4H-SiC利用终端扩展技术制作肖特基势垒二极管的相关内容 大小：371.97KB | 2021-04-16 22:52:03
