中等Kong径的多Kong硅的微观结构表征和NO“ 2 传感性能

在这项工作中,成功地制备了一种新型的中型多Kong硅(intermediate-PS)气体传感器通过电化学蚀刻方法。 观察PS样品的形貌和几何形状使用场发射扫描电子显微镜(FESEM)。 确定表面化学键用傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪。 发现PS表现出典型的n型半导体行为。 此外,它还具有良好的响应值,出色的重复性和快速性在室温下暴露于NO2气体时的响应-回收特性。 与其他相比PS的微观结构,中级PS表现出更好的气敏特性,因为高特殊性表面积提供了更多的吸附位点,独特的结构性能大大提高气体扩散速率。 此外,可能的NO2感应机制和潜在应用也得到了应用。 讨论过。