WO_3纳米线/多Kong硅杂化结构的合成及其室温NO_2气敏性能

我们报告了基于WO3 纳米线/多Kong硅混合结构的室温NO2气体传感器的制造和性能。 W18O49纳米线是在氩气气氛下加热下,从多Kong硅(PS)层上的溅射钨膜直接合成的。 经过精心控制的退火处理后,在PS层上获得了WO3纳米线,而不会失去其形貌。 使用场发射扫描电子显微镜(FESEM),X射线衍射仪(XRD)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)对纳米线的形貌,相结构和结晶度进行了研究。 。 比较的气体传感结果表明,基于WO3纳米线的传感器在室温下检测NO2气体方面比基于PS和纯WO3纳米线的传感器具有更高的灵敏度。 详细解释了WO3纳米线/ PS杂化结构在NO2传感中的作用。