多Kong硅的电化学行为微观结构和化学组成的相关性

在电流密度和蚀刻时间不同的情况下,通过在氢氟酸-乙醇溶液中对重掺杂n型硅进行阳极极化来制备多Kong硅(PSi)层。 在高分辨率透射电子显微镜下检查形成的PSi纳米微晶,并通过特征Si拉曼谱带的展宽和红移进行分析。 拉曼数据用于计算微晶的平均尺寸和畸变角。 通过傅立叶变换红外光谱研究了PSi的化学成分,并通过相应谱带的积分对PSi上的氢化硅和氧化物的量进行了半定量评估。 Si-H和Si-O键的极性导致明显的晶格畸变。 PSi纳米微晶的台阶和(1 1 1)表面上形成的化学物种在红外波段中得到了很好的区分。 发现每单位PSi厚度的SiySiHx种类的数量随电流密度的增加而线性减少。 讨论了电化学行