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脉冲准分子激光沉积AlN薄膜的研究

上传者: 2021-04-07 02:29:52上传 PDF文件 1.03MB 热度 14次
采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜。X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明:薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上。
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