基于标准SiGe BiCMOS技术的近红外光电探测器的实现

基于IBM 7WL标准SiGe BiCMOS技术设计了两个近红外光电探测器:PIN光电探测器和异质结光电晶体管(HPT)。 利用商用设备模拟器ATLAS分析了主要Craft.io参数对其性能的影响。 出带与MPW,每个光检测器的芯片尺寸为50μ米×50米μ。 在850nm入射波长和3.3V反向偏置电压的条件下,PIN光电探测器和HPT的响应度分别可以达到0.01A / W和0.4A / W。