LiNbO3基体上引入应变的MZI交织器的设计

提出了一种在铌酸锂(LiNbO 3 )上引入应变的马赫曾德尔干涉仪(MZI)交织器。 对引入应变的波导的结构进行了详细设计,并通过在退火的质子交换的LiNbO 3波导上沉积SiO 2膜来制造。 考虑到边缘应变对沉积温度和SiO 2膜厚度的敏感性,通过有限差分法(FDM)分析了 模式的有效变化,给出了该结构上50 GHz交错器的最佳设计。 由于高折射率差,该交织器中弯曲波导的长度仅为常规交织器中弯曲波导的长度的三分之二。