LiNbO3晶体中引入Е歇位相差实现 选择性擦除

在晶体中进行大容量多重体存储,需要对晶体中记录数据进行修改,这就使得选择性擦除必不可少。介绍了铌酸锂晶体中实现选择性擦除的原理,着重介绍了在物光和参考光中引入Е歇位相差的几种方法,通过引入Е歇位相差来记录互补全息图,利用全息图及其他的互补全息图的非相干叠加来消除原全息图对晶体折射率的调制,从而实现对未定影全息图的选择性擦除。实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除,并从理论上对实验结果进行了分析。并给出了在某一数据页面内进行部分擦除的实验结果。