掺Mg的LiNbO3中光辅助极化的研究

铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体中的铁电畴工程是一个活跃的研究领域,因为可以通过定制的铁电畴图案实现各种应用[1]。最突出的例子是在周期性极化的晶体中使用准相位匹配进行频率转换。但是,所有的光开关和光子晶体也可以通过畴结构实现。对于铌酸锂晶体的高矫顽场,畴反转非常困难并且晶片的厚度受到限制。最近,光辅助极化(LAP,结构化照明结合适当的外部电场的应用)方法使他们能够将光图案转换为畴图案,从而提供了一种用于畴工程的方法[2,3]。在本文中,我们使用数字全息干涉法[4](参见图1.(a))研究了LAP过程中的畴形成和畴壁运动,辅助光与畴反转之间的关系,畴的机理。在LAP过程中逆转,并找到了制造大面积域结构的合适方法(见图1.(b))。这项工作得到了国家自然科学基金(No. 61205176),天津自然科学基金会(10JCYBJC02800),中国国家基础研究计划(2013CB328706)和中国国际科技合作计划(2013DFG52660)的资助。