HVPE生长的块状GaN晶体的电学性质

研究了氢化物气相外延(HVPE)生长的高质量块状GaN晶体的电学性质。 从由HVPE生长的同一块体晶体中切出一系列样品。 样品的晶体质量由阴极发光(CL)和高分辨率X射线衍射测量(HRXRD)表征,评估的位错密度范围为2.4 X 106 cm2至2.3 X 105 cm-2。 进行了与温度有关的霍尔测量,并对结果进行了理论分析。 结果表明,在低位错密度(≤106cm-2)和低载流子浓度(≤1017cm-3)下,杂质浓度应在电性能中起重要作用。 随着杂质浓度的降低,霍尔迁移率从619增加到1160 cm2 /(V s),载流子浓度从5.42 X 1016 cm-3减小到1.31 X 1016 cm-3。