温度梯度技术生长的Ce:YAP闪烁晶体的光谱性质

研究了用温度梯度技术(TGT)生长的铈掺杂原铝钇(Ce:YAlO3或Ce:YAP)晶体的光谱性质,并分析了生长条件对其性能的影响。在这些研究中,使用了光致发光(PL),光致发光衰减(PLD),X射线激发发光(XL)和阴极发光(CL)。 结果表明,在202、394和532 nm处的吸收带峰是由弱还原性生长气氛引起的F和F +色心引起的,Ce3 + -Ce3 +对产生了500 ran附近的绿色发射带,在650 nm处的吸收带类似于850 run。来自晶体中的一些意外杂质。