晶体的生长

晶体的生长原理非常简单和熟悉。假设在最终要蒸发的饱和溶液中加入一些糖晶体。糖晶体的作用是作为额外的糖分子沉积的种子。最后这个晶体能生长的非常大。晶体的生长即使在缺乏种子的情况下也会发生,但产物中会有混乱的小的intergrown晶体。通过抑制不需要的晶核区,种子的使用能生长更大,更完美的晶体。 理论上,硅晶体的生长方式和糖晶体的一致。实际上,不存在适合硅的溶剂,而且晶体必须在超过1400°C的熔融状态下生长。最终的晶体至少有一米长,十厘米的直径,如果他们要用在半导体工业上的话还必须有接近完美的晶体结构。这些要求使得工艺很有挑战性。 通常生产半导体级别的硅晶体的方法是Czochralski