900nm高功率半导体激光器线阵列 上传者：ProEthan 2021-02-20 00:14:07上传 PDF文件 188.76KB 热度 44次 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉宽1000μs、13Hz的输入电流抽运下,输出峰值功率接近60W(室温,电流87A),斜率效率为0.64W/A. 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
