通过使用交错的AlGaN电子阻挡层来改善InGaN发光二极管的特性

详细研究了具有交错AlGaN电子阻挡层(EBL)特定设计的InGaN发光二极管(LED)的光学和物理特性。 模拟了静电场分布,能带,载流子浓度,电致发光(EL)强度,内部量子效率(IQE)和输出功率。 结果表明,与常规LED的设计相比,这种特定的设计在光学性能上有显着的提高。 实现了较低的电子泄漏电流,较高的空穴注入效率,并因此减轻了效率下降。 LED的最后一个势垒和EBL之间的界面处的静电场显着下降可能是这些改进的主要原因之一。