n ZnO / p CuI异质结的制备及能带取向

通过在p型γ-CuI(111)上生长未掺杂的n型ZnO薄膜来制造N-ZnO / P-CuI异质结。 使用射频磁控溅射的单晶衬底。 通过使用X射线衍射和扫描电子显微镜,ZnO膜被识别为具有c轴优选取向的柱状结构。 使用X射线光电子能谱仪对ZnO / CuI界面的能带对准进行测量,得出价带偏移为1.74 eV,导带偏移为-1.37 eV,这意味着该界面处的II型能带对准。 电流-电压曲线的典型二极管行为表明,随着进一步的发展,它在光电学中的可能应用。