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论文研究 质子辐照GaN的正电子寿命研究 .pdf

上传者: 2020-07-20 05:39:30上传 PDF文件 674.13KB 热度 19次
质子辐照GaN的正电子寿命研究,张明兰,,质子辐照诱生缺陷是在外太空等恶劣环境中引起GaN基器件性能退化的主要因素,研究质子辐照诱生缺陷的行为特征,对提高GaN基器件的抗
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