具有交错的AlGaN量子阱的深紫外发光二极管的设计

数值研究了具有交错AlGaN量子阱特定设计的基于AlGaN的深紫外发光二极管(UV LED)。拟议中的具有Al0.45Ga0.55N–Al0.5Ga0.5N–Al0.45Ga0.55N和Al0.5Ga0.5N–Al0.45Ga0.55N–Al0.5Ga0.5N交错量子阱层的UV LED表现出对光的显着改善与传统的AlGaN UV LED相比,输出功率和载流子注入效率更高。通过量子阱中载流子浓度,辐射复合率和波函数重叠的模拟分布,可以解释所设计的LED的增强性能。