横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望

横向超结双扩散MOS(SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一。分析了SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的产生机理,总结了当前国内外消除SJ-LDMOS衬底辅助耗尽效应的技术,比较了各种技术的比导通电阻与击穿电压的关系。最后,从设计技术、工艺及理论模型三个方面,对横向超结器件的发展方向进行了展望。