基于III V族半导体材料的光电探测器

半导体光电探测器是利用内光电效应进行光电探测的,通过吸收光子产生电子ˉ空穴对从雨在外电路产生光电流。其过程可以分为三步:光子吸收产生电子ˉ空穴对,在适当内电场作用流子的漂移,欧姆接触收集载流子。半导体光电探测器有以下优点:结构紧凑、低工作电压、宽频谱范围、高量子效率、器件稳定性好、工作温度范围宽、可批量生产、成本低等。正是由于这些优点使半导体光电探测器得到了广泛应用,从可见光波段到红外波段,从光纤通信到光学测距,从激光制导到光电成像,半导体光电探测器都显示了其优异的性能。 和激光器不同,众多半导体材料都可用来制造光电探测器。只要入射光波长在半导体材料的光谱吸收范围,即使是硅锗这样的间接带