极低阈值GaInAsP激光器与MISFET在半绝缘InP衬底上单片集成

本文报道了采用单一液相外延(LPE)生长工艺制得1.3微米沟槽形激光器与金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(简称MISFET)单片集成器件。当激光器腔长为300微米时,所获得的阈值电流低至14亳安。在LPE生长的InP层上具有n沟道金属绝缘半导体(MIS)耗尽型场效应晶体管(FET)典型的跨导为5~10亳欧姆。在两倍阈值电流以上演示了由FET电流调制激光器的情况。