1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP MOCVD生长

报道了用低压金属有机物化学气相淀积(in Chinese)LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4~6 mA。20~40 °C时特征温度T0高达67 K,室温下外量子效率为0.3 mW/mA。