具有高斯远场分布的高功率非均匀线性垂直腔面发射激光器阵列

据报道,具有不均匀线性排列的980 nm底部发射垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可实现高斯远场分布的高功率。 该阵列由五个对称排列的元素组成,直径分别为200μm,150μm和100μm,中心间距分别为300μm和250μm。 这种结构使得可以区分更高阶的数组超模式。 远场分布的理论模拟与实验结果吻合良好。 获得的输出功率为880 mW,功率密度为1 KW / cm(2)。 在从0 A到4 A的工作电流范围内,发散角小于20度。对这种非均匀线性阵列和常规二维阵列进行了比较,以证明线性阵列的良好性能。 在短脉冲操作下,以1 kHz的重复频率可获得超过20 W的峰值功率。