SiGe / Si多层的应变诱导阳极氧化以形成高密度SiGe / Si异质纳米棒 上传者：qq_85016 2021-02-23 12:21:49上传 PDF文件 1.98MB 热度 9次 通过对通过超高真空化学气相沉积法生长的SiGe / Si多层进行电化学阳极氧化,可以制备SiGe / Si异质纳米结构。 已经观察到密度高达〜2×1011 cm-2的纳米棒,其相对均匀的分布已通过扫描电子显微镜的俯视图和横截面图确认。 样品显示出具有多个峰和窄宽度的可见光致发光,这与干涉效应有关。 最后,提出了一个模型来解释应变在SiGe / Si多层阳极氧化过程中的作用。 ? 2009爱思唯尔有限公司 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 qq_85016 资源：428 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
