硅多层结构结区载流子浓度的测量

随着电流密度的增加,多层结构硅元件的过渡特性和稳定性,在很大的程度上是由电子-空穴散射,p-n结注入系数减小,载流子俄歇复合辐射等非线性效应所决定。哪一种过程为主,一般根据在较宽的电流密度范围内测量伏安特性来确定。但是,这些结果受到许多难以估计的因素的影响,比如p-n结清晰度、强合金层和金属接触电阻、强合金层的扩散长度等等。