光刻机系统中193nm薄膜的研究进展

Name: 光刻机系统中193nm薄膜的研究进展
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Author: 一名女程序员

上传者：一名女程序员 2021-02-17 16:38:13上传 PDF文件 486.38KB 热度 32次

193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10μm。重点介绍了193nm薄膜的研究进展及影响薄膜性能的主要因素,并对具体的研究方向进行了总结。

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