980 nm半导体激光器长期老化结果及失效分析

为了提高980 nm半导体激光器的可靠性,采用氦离子注入形成腔面电流非注入区技术制作了4 μm条宽的脊形波导激光器,并利用同一块外延片制作了常规工艺的4 μm脊形波导激光器作为对比。经过长期老化实验得知:常规工艺器件在1500 h前全部失效,而采取新技术的器件寿命超过了3000 h。通过对器件的扫描电镜分析发现,腔面灾变性损伤、铟焊料的质量和腔面污染等因素对器件失效有直接影响。