影响电子束GaAs激光器性能的因素

苏修列别捷夫物理研究所研究了影响以电子束激励的GaAs激光器的输出功率和效率的因素。测量是在液氮温度和室温下进行的。使用45千电子伏的电子束,在样品表面得到10安培/厘米2的电流密度,完成了GaAs的激励。发现在85 °K时,效率为30%,输出功率为300到400瓦;在室温时,效率为11%,输出功率为100到200瓦。GaAs晶体愈完善,激光发射性能就愈高。