电子束纵向泵浦的无冷却CdS和GaAs脉冲激光器

大家知道,用高能电子束激发半导体激光器可获得足够高的辐射功率。文献[1]报导在无冷却的多元硫化镉激光器中获得了~100 kW(辐射面积~1 cm2)的功率。用液氮冷却时,纵向泵浦砷化镓激光器的最大功率仅为2.3 MW(辐射面积为4.6 cm2)。上述功率值不是电子束泵浦的半导体激光器的极限值。